Materialien und Prozessführung für vertikale Stoßionisati...
Die von Gordon Moore 1965 veröffentlichte Beobachtung, dass sich die Komplexität integrierter Schaltungen alle 18 Monate verdoppelt, entwickelte sich zum Taktgeber für die gesamte Elektronikbranche. Seit etwa 2000 werden jedoch immer wieder fundamentale Grenzen erreicht, denen durch Entwicklungen in der Prozesstechnologie, den Einsatz neuer Materialien und Modifikationen des klassischen MOSFET-Konzepts begegnet wird. Beispiele dafür sind der Einsatz von verspannten Silizium-Germanium-Schichten ...